Транзисторные ключи с низким спадом напряжения

Транзисторные ключи с низким спадом напряжения предназначены для использования в качестве ости силовых ключей в устройствах силовой преобразовательной техники и электроники.

Модификации

Транзисторные ключи с низким спадом напряжения разрабатываются на дискретных элементах в таких типоисполнениях:

• GBT - транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с последовательно включенным диодом- в соответствии: IGBT-VTD и БТД - VTD ;
• IGBT - транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с четвертым отделенным электродом утечки и коллектора - в соответствии : IGBT -4 Е и БТД -4 Е , где : З - затвор , К - коллектор, Е - эмиттер , В - утечка, Кв - уединенный коллектор.

Особенности

• снижение спада напряжения на ключи в сравнению с аналогами - к 30 ... 50%;
• применение ключей IGBT-VTD и БТД - VTD в кругах переменного тока не требует включения последовательно с ними силовых диодов,
• снижение динамических потерь энергии к 25 ... 30% при применении внешнего последовательно включенного с IGBT -4 Е и БТД - VTD дросселя насыщения .