• Транзистор КТ817Г фото 1

Транзистор КТ817Г

Average: 4.7 (3 votes)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817Г предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур: - 60 до + 150 C
  • Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

  • аАО. 336.187 ТУ / 02

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

Назначение

(корпус КТ-27)

Вывод

(корпус КТ-89)

Назначение

(корпус КТ-89)

№1 Эмиттер №1 База
№2 Коллектор №2 Коллектор
№3 База №3 Эмиттер
Основные электрические параметры КТ817 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Граничное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. В Iэ=0,1A, tи=0,3 - 1 мс 25 -
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 45 -
КТ817В, В9 60 -
КТ817Г, Г9 80
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкэ=40 В - 100
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 Uкэ=45 В - 100
КТ817В, В9 Uкэ=60 В - 100
КТ817Г, Г9 Uкэ=100 В - 100
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мкА Uкэ=40 В, Rбэ - 200
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 Uкэ=45 В, Rбэ - 200
КТ817В, В9 Uкэ=60 В, Rбэ - 200
КТ817Г, Г9 Uкэ=100В, Rбэ - 200
Статический коэффициент передачи тока h21э   Uкб=2 B, Iэ=1A 25 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=1 A, Iб=0,1A - 0,6
Предельно допустимые электрические режимы КТ817
Параметры Обозначение Единица измер. Значение
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб Uкэ max В 40
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 45
КТ817В, В9 60
КТ817Г, Г9 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 3
Импульсный ток коллектора Iки max А 6
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max Вт 25
Температура перехода Tпер C 150