• Транзистор КТ646А фото 1

Транзистор КТ646А

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные высокочастотные быстродействующие N-P-N транзисторы КТ646А предназначены для использования в приемоусилительных схемах, оперативных и постоянных запоминающих устройствах, управляющих вычислительных комплексах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Обозначение технических условий

  • аАО.336.334 ТУ

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  - 45 до + 85 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Основные электрические параметры КТ646 при Токр.среды плюс 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектора IКБО мкА UКБ = 60 В  

-

10
КТ646А
 
Статический коэффициент передачи тока h21э   f = 50 Гц

UКБ = 5 B, IЭ = 200 мА

40 200
КТ646А
 
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ (нас) В IК = 500 мA, IБ = 50 мА - 0,85
КТ646А
   
Время рассасывания

— КТ646А

tрас нс IК= 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА,

tи 50

- 60
Напряжение насыщения база - эмиттер UБЭ(нас) В IК = 500 мА, IБ = 50 мA - 1,2
Емкость коллекторного перехода* CК пФ UКБ= 10 B, IЭ = 0, f = 107 Гц - 10
Емкость эмиттерного перехода* СЭ пФ UЭБ = 0 B, f = 107 Гц - 80
Обратный ток эмиттера IЭБО мкА UЭБО = 4,0 B - 10

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ646
Параметры Обозначение Единица измерения Значение
А Б В
Напряжение коллектор-эмиттер UКЭ max В 60 40 40
Напряжение эмиттер-база UЭБ max В 4,0 4,0 4,0
Напряжение коллектор-база UКБ max В 60 40 40
Постоянный ток коллектора IК max мА 1000 1000 1000
Температура перехода TПЕР C 150 150 150