Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Транзистор КТ3117Б
Под заказ
Связаться с менеджером
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор КТ3117Б предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Обозначение технических условий
- аАО.336.262 ТУ
Корпусное исполнение
- металлический корпус КТ1-7 (ТО-18) – КТ3117А, Б
Вывод
(корпус КТ1-7) |
Назначение
(корпус КТ1-7) |
№1 | База |
№2 | Эмиттер |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектора КТ3117А
КТ3117Б |
Iкбо | мкА | Uкб=60B Uкб=75B |
-
- |
10 10 |
Статический коэффициент передачи | h21Е | - | Uкб=-5B,Iэ=200Мa |
40 |
200 |
тока | f=50Гц | ||||
КТ3117А | |||||
КТ3117Б | 100 | 300 | |||
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | - | 0,6 |
Напряжение насыщения база - эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | - | 1,2 |
Емкость коллекторного перехода* | Cк* | пФ | Uкб=10B, Iэ=0, f=107Гц | - | 10 |
Емкость эмиттерного перехода* | Сэ* | пФ | Uбэ=0B f=10Гц | - | 80 |
Граничная частота коэффициента передачи тока* | Fгр* | МГц | - | - | 200 |
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение | |
А | Б | |||
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 60 | 75 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 60 | 75 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 4 | 4 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 400 | 400 |
Импульсный ток коллектора | Iки max | мА | 800 | 800 |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Рк max | Вт | 0,3 | 0,3 |
Температура перехода | Tj | C | 150 | 150 |