Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором 2П7234А
Связаться с менеджером
Транзистор "2П7234А" кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным р-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, в металлокерамическом корпусе КТ-97В, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Особенности
- Категория качества ВП,
- Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C,
- Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4
- Масса не более 10 г.
Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТ-97В (TO-254).
Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.578 ТУ.
Надежность
- 95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
- Срок сохраняемости - 25 лет.
Указания по эксплуатации
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем. При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.
При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования:
- для улучшения теплового баланса, установку транзисторов на радиатор осуществлять с помощью теплопроводящих паст или специальных мягких прокладок;
- запрещается припайка теплоотводящей поверхности корпуса к теплоотводу;
- допускается электрическая изоляция корпуса транзистора от радиатора, при этом задание электрического режима должно производится с учетом теплового сопротивления изолирующей прокладки или пасты. При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.
Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
не менее | не более | |||
Остаточный ток стока
(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В) |
IС. ост |
-
- - |
-100
-500 -100 |
25±10
(125±5) -60±3 |
Ток стока, А 2) (tи 300 мкс, Q 50, UЗИ = 10 В, UСИ = 5,0 В) | IС | -17 | 25±10 | |
Ток утечки затвора, нА (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В) | - | - | ±100 | 25±10 |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом 2) (tи 300 мкс, Q 50, UЗИ = 10 В, IС = 11 А) | RСИ. отк |
-
- |
0,22 | 25±10 |
Крутизна характеристики, А/В (UСИ = 25 В, IС = 11 А, tи 300 мкс, Q 50) | S | 6,2 | - | 25±10 |
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 0,25 мА) | UЗИ. пор | -2,0 | -4,0 | 25±10 |
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = 17 А, tи 300 мкс, Q 50) | Uпр | - | 5,0 | 25±10 |