Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.312 ТУ.

Конструктивное исполнение

• бескорпусное исполнение;
• кристаллы на общей пластине 100 мм неразделенные;
• масса одного транзистора – не более 0,05 г.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

• Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018.
• Характеристики С3, И1 - И3, К1, К3 по 1У.

Справочные данные

• 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
• 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

• повышенная рабочая температура корпуса 100 С;
• смена температуры среды от минус 60 до 125 С.

Условия эксплуатации

При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками. Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.