• Кремниевый эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9 фото 1

Кремниевый эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9

Average: 7 (2 votes)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевый эпитаксиально-планарные диод "2ДШ142А9" с барьером Шоттки. Предназначен для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Ближайший функциональный аналог: HSMS2800 для 2ДШ142А9.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100 С,
  • Материал покрытия выводов: О-Ви
  • Масса прибора не более 0,1 г.
  • Повышенная стойкость к СВВФ

Обозначение технических условий АЕЯР.432120.554ТУ

Пластмассовый корпус КТ-46А ГОСТ 18472-88 для поверхностного монтажа.

Диод и сборка должны быть стойкими к воздействию механических, климатических и биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146 и по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:

  • акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2·10-5 Па) 170 дБ;
  • повышенная рабочая и предельная температура среды 100 С.

Диод и сборка пригодны для монтажа в аппаратуре паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Перепайка выводов диодов и сборки не допускается.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение параметра Норма
Max допустимое постоянное обратное напряжение диода, В Uобр max 18
Max допустимый постоянный прямой ток диода, мА Iпр max 50
Max допустимый импульсный прямой ток диода (tИ 10 мс, Q 2), мА Iпр, и, max 70
Max допустимая прямая рассеиваемая мощность диода, Вт Рпр max 0,055
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда, °С/Вт R пер-окр 454
Предельно допустимое значение частоты, МГц f 500
Max допустимая температура перехода, С Тпер max 150